PBSS5350X_集成电路资料查询网

2003 十一月 21 6
飞利浦 半导体 产品 规格
50 v, 3 一个
pnp 低 v
CEsat
(biss) 晶体管
PBSS5350X
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=
−
50 v; i
E
=0
−−−
100 nA
V
CB
=
−
50 v; i
E
= 0; t
j
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
=
−
50 v; v
是
=0
−−−
100 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=
−
5 v; i
C
=0
−−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
2V
I
C
=
−
0.1 一个 200
−−
I
C
=
−
0.5 一个 200
−−
I
C
=
−
1 一个; 便条 1 200
−
450
I
C
=
−
2 一个; 便条 1 130
−−
I
C
=
−
3 一个; 便条 1 80
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
=
−
0.5 一个; i
B
=
−
50 毫安
−−−
90 mV
I
C
=
−
1 一个; i
B
=
−
50 毫安
−−−
180 mV
I
C
=
−
2 一个; i
B
=
−
100 毫安
−−−
320 mV
I
C
=
−
2 一个; i
B
=
−
200 毫安; 便条 1
−−−
270 mV
I
C
=
−
3 一个; i
B
=
−
300 毫安; 便条 1
−−−
390 mV
R
CEsat
相等的 在-阻抗 I
C
=
−
2 一个; i
B
=
−
200 毫安; 便条 1
−
90 135 m
Ω
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
2 一个; i
B
=
−
100 毫安
−−−
1.1 V
I
C
=
−
3 一个; i
B
=
−
300 毫安; 便条 1
−−−
1.2 V
V
BEon
根基-发射级 转变-在 电压 V
CE
=
−
2 v; i
C
=
−
1A
−
1.1
−−
V
f
T
转变 频率 I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
5v;
f = 100 MHz
100
−−
MHz
C
c
集电级 电容 V
CB
=
−
10 v; i
E
=I
e
= 0; f = 1 MHz
−−
35 pF

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2003 十一月 21 6 飞利浦半导体产品规格 50 v, 3 一个 pnp 低 v CEsat (biss) 晶体管 PBSS5350X 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 脉冲波测试: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 I CBO 集电级截-止电流 V CB = − 50 v; i E =0 −−− 100 nA V CB = − 50 v; i E = 0; t j = 150 ° C −−− 50 µ 一个 I CES 集电级截-止电流 V CE = − 50 v; v 是 =0 −−− 100 nA I EBO 发射级截-止电流 V EB = − 5 v; i C =0 −−− 100 nA h FE 直流电流增益 V CE = − 2V I C = − 0.1 一个 200 −− I C = − 0.5 一个 200 −− I C = − 1 一个; 便条 1 200 − 450 I C = − 2 一个; 便条 1 130 −− I C = − 3 一个; 便条 1 80 −− V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 0.5 一个; i B = − 50 毫安 −−− 90 mV I C = − 1 一个; i B = − 50 毫安 −−− 180 mV I C = − 2 一个; i B = − 100 毫安 −−− 320 mV I C = − 2 一个; i B = − 200 毫安; 便条 1 −−− 270 mV I C = − 3 一个; i B = − 300 毫安; 便条 1 −−− 390 mV R CEsat 相等的在-阻抗 I C = − 2 一个; i B = − 200 毫安; 便条 1 − 90 135 m Ω V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = − 2 一个; i B = − 100 毫安 −−− 1.1 V I C = − 3 一个; i B = − 300 毫安; 便条 1 −−− 1.2 V V BEon 根基-发射级转变-在电压 V CE = − 2 v; i C = − 1A − 1.1 −− V f T 转变频率 I C = − 100 毫安; v CE = − 5v; f = 100 MHz 100 −− MHz C c 集电级电容 V CB = − 10 v; i E =I e = 0; f = 1 MHz −− 35 pF

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