2003 十一月 21 7
飞利浦 半导体 产品 规格
50 v, 3 一个
pnp 低 v
CEsat
(biss) 晶体管
PBSS5350X
handbook, halfpage
MLE171
0
600
200
400
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
h
FE
−
10
2
−
10
3
−
10
4
(1)
(3)
(2)
图.4 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=
−
2v.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MLE170
0
−
1.2
−
0
.
4
−
0
.
8
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
V
是
(v)
−
10
2
−
10
3
−
10
4
(1)
(3)
(2)
图.5 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
V
CE
=
−
2v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 100
°
c.
handbook, halfpage
MLE173
−
1
−
10
−
1
−
10
−
2
−
10
−
3
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
V
CEsat
(v)
−
10
2
−
10
3
−
10
4
(3)
(1)
(2)
图.6 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 100
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
MLE174
−
1
−
10
−
1
−
10
−
2
−
10
−
3
−
10
−
1
−
1
−
10
I
C
(毫安)
V
CEsat
(v)
−
10
2
−
10
3
−
10
4
(3)
(1)
(2)
图.7 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
T
amb
=25
°
c.
(1) I
C
/i
B
= 100.
(2) I
C
/i
B
= 50.
(3) I
C
/i
B
= 10.