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资料编号:54171
 
资料名称:IRG4BC30UD
 
文件大小: 234.03K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
 
 


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IRG4BC30UD
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) ---- 50 75 I
C
= 12a
Qge 门 - 发射级 承担 (转变-在) ---- 8.1 12 nC V
CC
= 400v 看 图. 8
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) ---- 18 27 V
GE
= 15v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ---- 40 ---- T
J
= 25
°
C
t
r
上升 时间 ---- 21 ---- ns I
C
= 12a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ---- 91 140 V
GE
= 15v, r
G
= 23
t
f
下降 时间 ---- 80 130 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 ---- 0.38 ---- 二极管 反转 恢复.
E
转变-止 切换 丧失 ---- 0.16 ---- mJ 看 图. 9, 10, 11, 18
E
ts
总的 切换 丧失 ---- 0.54 0.9
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ---- 40 ---- T
J
= 150
°
c, 看 图. 9, 10, 11, 18
t
r
上升 时间 ---- 22 ---- ns I
C
= 12a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ---- 120 ---- V
GE
= 15v, r
G
= 23
t
f
下降 时间 ---- 180 ---- 活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失 ---- 0.89 ---- mJ 二极管 反转 恢复.
L
E
内部的 发射级 电感 ---- 7.5 ---- nH 量过的 5mm 从 包装
C
ies
输入 电容 ---- 1100 ---- V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 ---- 73 ---- pF V
CC
=30V 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 ---- 14 ----
ƒ
= 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 ---- 42 60 ns T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 80 120 T
J
= 125
°
c 14 i
F
= 12a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 ---- 3.5 6.0 一个 T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 5.6 10 T
J
= 125
°
c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 ---- 80 180 nC T
J
= 25
°
c 看 图.
---- 220 600 T
J
= 125
°
c 16 di/dt 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 ---- 180 ---- 一个/µs T
J
= 25
°
c 看 图.
在 t
b
---- 120 ---- T
J
= 125
°
c 17
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压
600 ---- ---- V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度 coeff. 的 损坏 电压 ---- 0.63 ---- v/
°
CV
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 ---- 1.95 2.1 I
C
= 12a V
GE
= 15v
---- 2.52 ---- V I
C
= 23a 看 图. 2, 5
---- 2.09 ---- I
C
= 12a, t
J
= 150
°
C
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 ---- 6.0 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度 coeff. 的 门槛 电压 ---- -11 ---- mv/
°
CV
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导
3.1 8.6 ---- S V
CE
= 100v, i
C
= 12a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 ---- ---- 250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
---- ---- 2500 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150
°
C
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 ---- 1.4 1.7 V I
C
= 12a 看 图. 13
---- 1.3 1.6 I
C
= 12a, t
J
= 150
°
C
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ---- ---- ±100 n一个 V
GE
= ±20v
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
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