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IRG4BC30UD
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图. 7 -
典型 电容 vs.
集电级-至-发射级 电压
图. 8
- 典型 门 承担 vs.
门-至-发射级 电压
图. 9
- 典型 切换 losses vs. 门
阻抗
图. 10
- 典型 切换 losses vs.
接合面 温度
0
400
800
1200
1600
2000
1 10 100
CE
c, 电容 (pf)
V, collec至r-至-emitter voltag e (v)
一个
V=0V,         f = 1MHz
C=C+c     ,   cSHORTE D
C=C
C=C+C
GE
iesgegcce
resgc
oescegc
C
ies
C
res
C
oes
0
4
8
12
16
20
0 1020304050
GE
V, gate-至-emitter voltage (v )
g
Q , total g 一个teC h一个rg e (nc)
一个
v      = 400v
i      =12一个
CE
C
总的 switchig losses  (mj)
0.1
1
10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
一个
t  , 接合面 温度(
°
C)
J
R=23
Ω
V=15V
V=480V
i    = 24a
i    = 12a
i    = 6.0a
G
GE
CC
C
C
C
总的 switchig losses  (mj)
0.50
0.52
0.54
0.56
0.58
0.60
0 102030405060
G
一个
R, gate 阻抗(
Ω
)
v      = 480v
V=15V
T=25
°
C
i      =12一个
CC
GE
J
C

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IRG4BC30UD www.irf.com 5 图. 7 - 典型电容 vs. 集电级-至-发射级电压图. 8 - 典型门承担 vs. 门-至-发射级电压图. 9 - 典型切换 losses vs. 门阻抗图. 10 - 典型切换 losses vs. 接合面温度 0 400 800 1200 1600 2000 1 10 100 CE c, 电容 (pf) V, collec至r-至-emitter voltag e (v) 一个 V=0V, f = 1MHz C=C+c , cSHORTE D C=C C=C+C GE iesgegcce resgc oescegc C ies C res C oes 0 4 8 12 16 20 0 1020304050 GE V, gate-至-emitter voltage (v ) g Q , total g 一个teC h一个rg e (nc) 一个 v = 400v i =12一个 CE C 总的 switchig losses (mj) 0.1 1 10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 一个 t , 接合面温度( ° C) J R=23 Ω V=15V V=480V i = 24a i = 12a i = 6.0a G GE CC C C C 总的 switchig losses (mj) 0.50 0.52 0.54 0.56 0.58 0.60 0 102030405060 G 一个 R, gate 阻抗( Ω ) v = 480v V=15V T=25 ° C i =12一个 CC GE J C

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