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资料编号:54171
 
资料名称:IRG4BC30UD
 
文件大小: 234.03K
   
说明
 
介绍:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRG4BC30UD
6 www.irf.com
图. 11 -
典型 切换 losses vs.
集电级-至-发射级 电流
图. 12
- 转变-止 soa
图. 13
- 最大 向前 电压 漏出 vs. instantaneous 向前 电流
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
FM
F
instantaneous 向前 电流 - i (一个)
向前 voltage 漏出 - v(V)
t = 150
°
C
t = 125
°
C
t = 25
°
C
J
J
J
0.1
1
10
100
1000
1 10 100 1000
C
CE
GE
V, collector-至-emitter voltage(v)
i , collecr-至-emitter current (一个)
safe 运行 范围
V=20V
t =125
°
C
GE
J
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0102030
C
i , 集电级-至-emitter 电流(一个 )
一个
R=23
T=150
°
C
v = 480v
V=15V
G
J
CC
GE
总的 switchig losses (mj)
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