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产品 数据 薄板 rev. 02 — 17 8月 2004 2 的 12
飞利浦 半导体
PH20100S
n-频道 trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
3. 订货 信息
4. 限制的 值
表格 2: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
PH20100S LFPAK 塑料 单独的-结束 表面 挂载 包装 (飞利浦 版本 lfpak);
4 leads
SOT669
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) 25
°
C
≤
T
j
≤
150
°
C - 100 V
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
=10v;图示 2 和 3 - 34.3 一个
T
mb
= 100
°
c; v
GS
=10v;图示 2 - 21.6 一个
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 137 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
C - 62.5 W
T
stg
存储 温度
−
55 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
55 +150
°
C
源-流 二极管
I
S
源 (二极管 向前) 电流 (直流) T
mb
=25
°
C - 52 一个
I
SM
顶峰 源 (二极管 向前) 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 137 一个
avalanche 强壮
E
ds(al)s
非-repetitive 流-源
avalanche 活力
unclamped inductive 加载; i
D
=12a;
t
p
= 0.3 ms; v
DD
≤
100 v; v
GS
=10v;
开始 在 T
j
=25
°
C
- 250 mJ