飞利浦 半导体
PH3830L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 03 — 2 march 2004 8 的 12
9397 750 12945
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
GS
=0V I
D
= 20 一个; v
DD
=10V
图 12. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值.
图 13. 门-源 电压 作 一个 函数 的 门
承担; 典型 值.
003aaa383
0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
V
SD
(v)
I
S
(一个)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa384
0
2
4
6
8
10
0 20406080
Q
G
(nc)
V
GS
(v)