飞利浦 半导体
PH3830L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 03 — 2 march 2004 5 的 12
9397 750 12945
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
6. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个; v
GS
=0V 30--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9
T
j
=25
°
C 1 1.5 2 V
T
j
= 150
°
C 0.65 - - V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=30v; v
GS
=0v; t
j
=25
°
C - 0.06 1
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
15 v; v
DS
= 0 V - 20 100 nA
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
=10v; i
D
=25a;图示 7 和 8
T
j
=25
°
C - 3.2 3.8 m
Ω
T
j
= 150
°
C - 5.4 6.5 m
Ω
V
GS
=5v; i
D
=25a;图示 7 - 4 4.9 m
Ω
动态 特性
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 20 一个; v
DD
=10v; v
GS
=5v;图示 13 -33-nc
Q
gs
门-源 承担 - 11 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 11 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 10 v; f = 1 mhz; 图示 11 -3190-pf
C
oss
输出 电容 - 1050 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 457 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=15v; i
D
= 20 一个; v
GS
= 4.5 v; r
G
= 4.7
Ω
-30-ns
t
r
上升 时间 -88-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 58 - ns
t
f
下降 时间 -57-ns
源-流 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 25 一个; v
GS
=0v;图示 12 - 0.85 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 20 一个; di
S
/dt =
−
100 一个/
µ
s; v
GS
=0V - 42 - ns