飞利浦 半导体
PH3830L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 03 — 2 march 2004 6 的 12
9397 750 12945
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2004. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
xR
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
003aaa379
0
20
40
60
0 0.5 1 1.5 2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
5 v
2.7 v
2.9 v
2.5 v
3 v
3.5 v
2.6 v
2.8 v
10 v
V
GS
= 3.1 v
003aaa380
0
10
20
30
40
50
1234
V
GS
(v)
I
D
(一个)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa381
0
4
8
12
0 1020304050
I
D
(一个)
R
DSon
(m
Ω
)
4 v
V
GS
= 3.5 v
3 v
3.1 v
2.9 v
5 v
10 v
03al00
0
0.6
1.2
1.8
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
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=
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