飞利浦 半导体
PH5330
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 18 july 2003 7 的 12
9397 750 10951
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I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
C
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
T
j
= 25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 向前 跨导 作 一个 函数 的
流 电流; 典型 值.
图 12. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances
作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型
值.
03ah33
0
1
2
3
-80 -20 40 100 160
(v)
最小值
典型值
最大值
V
gs(th)
T
j
(
°
c)
03ah30
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
0123
最大值.典型值.最小值.
V
GS
(v)
I
D
(一个)
03ag91
0
20
40
60
80
0 20406080
I
D
(一个)
g
fs
(s)
T
j
= 25 ºc
150 ºc
V
DS
> i
D
x r
DSon
03ag93
10
2
10
3
10
4
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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