飞利浦 半导体
PH5330
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 18 july 2003 6 的 12
9397 750 10951
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T
j
=25
°
CT
j
= 25
°
c 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
03ag89
0
20
40
60
80
012345
V
DS
(v)
I
D
(一个)
3.5 v
V
GS
= 3 v
10 v
4 v
4.5 v
03ag90
0
20
40
60
80
01234
V
GS
(v)
I
D
(一个)
V
DS
> i
D
x r
DSon
T
j
= 25 ºc
150 ºc
03ag95
0
0.01
0.02
0.03
0 204060
I
D
(一个)
R
DSon
(
Ω
)
3 v
V
GS
= 3.5 v
4.5 v
10 v
4 v
03ah32
0
0.6
1.2
1.8
-80 -20 40 100 160
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
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=
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