飞利浦 半导体
PH5330
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 18 july 2003 5 的 12
9397 750 10951
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
8. 特性
表格 5: 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的 特性
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 I
D
= 10 毫安; v
GS
=0V 30--v
V
gs(th)
门-源 门槛 电压 I
D
= 1 毫安; v
DS
=V
GS
; 图示 9 1 1.9 2.5 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
=30v; v
GS
=0v; t
j
=25
°
C - 0.06 1
µ
一个
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
16 v; v
DS
= 0 V - 0.9 10
µ
一个
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
=20a;图示 7和 8 - 4.6 5.3 m
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
=20a;图示 8 - 8.0 10 m
Ω
动态 特性
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v; i
D
=20a;图示 11 30 50 - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 40 一个; v
DD
=10v; v
GS
=10v;图示 14 -40-nc
Q
gs
门-源 承担 - 7 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 8 - nC
C
iss
输入 电容 V
GS
=0v; v
DS
= 10 v; f = 1 mhz; 图示 12 -2200-pf
C
oss
输出 电容 - 600 - pF
C
rss
反转 转移 电容 - 330 - pF
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 V
DD
=10v; i
D
= 20 一个; v
GS
=10v;r
G
= 4.7
Ω
-20-ns
t
r
上升 时间 -62-ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 59 - ns
t
f
下降 时间 -18-ns
源-流 (反转) 二极管
V
SD
源-流 (二极管 向前) 电压 I
S
= 40 一个; v
GS
=0v;图示 13 - 0.85 1.11 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
S
= 40 一个; di
S
/dt =
−
50 一个/
µ
s; v
GS
= 0 V - 60 - ns