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资料编号:547501
 
资料名称:PHB3N60E
 
文件大小: 79.82K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistors Avalanche energy rated
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 php3n60e, phb3n60e
avalanche 活力 评估
avalanche 活力 限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
E
非-repetitive avalanche unclamped inductive 加载, i
= 1.8 一个; - 139 mJ
活力 t
p
= 0.2 ms; t
j
较早的 至 avalanche = 25˚c;
V
DD
50 v; r
GS
= 50
; v
GS
= 10 v; 谈及
至 图:17
E
AR
repetitive avalanche 活力
1
I
AR
= 2.8 一个; t
p
= 2.5
µ
s; t
j
较早的 至 - 5.5 mJ
avalanche = 25˚c; r
GS
= 50
; v
GS
= 10 v;
谈及 至 图:18
I
, i
AR
repetitive 和 非-repetitive - 2.8 一个
avalanche 电流
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 - - 1.5 k/w
至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 sot78 包装, 在 自由 空气 - 60 - k/w
至 包围的 sot404 包装, pcb 挂载, 最小 - 50 - k/w
footprint
1
脉冲波 宽度 和 repetition 比率 限制 用 t
j
最大值
12月 1998 2 rev 1.200
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