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资料编号:547601
 
资料名称:PHD21N06LT
 
文件大小: 112.45K
   
说明
 
介绍:
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php21n06lt, phb21n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD21N06LT
机械的 数据
图.17. sot404 表面 挂载 包装. centre 管脚 连接 至 挂载 根基.
注释
1. 这个 产品 是 有提供的 在 反对-静态的 包装. 这 门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
2. 谈及 至 smd footprint 设计 和 焊接 指导原则, 数据 handbook sc18.
3. 环氧的 满足 ul94 v0 在 1/8".
单位
一个
REFERENCES
外形
版本
EUROPEAN
PROJECTION
公布 日期
IEC 电子元件工业联合会 EIAJ
mm
一个
1
D
1
D
最大值
E
eL
p
H
D
Qc
2.54
2.60
2.20
15.40
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
维度 (mm 是 这 原来的 维度)
SOT404
0 2.5 5 mm
规模
塑料 单独的-结束 表面 挂载 包装 (飞利浦 版本 的 d
2
-pak); 3 leads
(一个 含铅的 cropped)
SOT404
e e
E
b
D
1
H
D
D
Q
L
p
c
一个
1
一个
13
2
挂载
根基
98-12-14
99-06-25
8月 1999 7 rev 1.500
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