飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php21n06lt, phb21n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD21N06LT
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 - - 19 一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 - - 76 一个
二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 20 一个; v
GS
= 0 v - 1.2 1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 20 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 43 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= 0 v; v
R
= 30 v - 94 - nC
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
5 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
normalised 电源 减额, pd (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 25 50 75 100 125 150 175
挂载 根基 温度, tmb (c)
0.1
1
10
100
1 10 100
流-源 电压, vds (v)
顶峰 搏动 流 电流, idm (一个)
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp = 10 美国
100 美国
normalised 电流 减额, id (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 25 50 75 100 125 150 175
挂载 根基 温度, tmb (c)
0.01
0.1
1
10
1e-06 1e-05 1e-04 1e-03 1e-02 1e-01 1E+00
脉冲波 宽度, tp (s)
瞬时 热的 阻抗, zth j-mb (k/w)
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
d = tp/t
D
P
T
8月 1999 3 rev 1.500
: 点此下载
