飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php21n06lt, phb21n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD21N06LT
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
)
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
)
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
)
图.9. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
R
ds(在)
/r
ds(在)25 ˚c
= f(t
j
)
图.10. 门 门槛 电压.
V
gs(至)
= f(t
j
); 情况: i
D
= 1 毫安; v
DS
= v
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
流-源 电压, vds (v)
流 电流, id (一个)
2.8 v
tj = 25 c
vgs = 10v
3 v
3.2 v
3.4 v
2.4 v
5 v
2.6 v
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
流 电流, id (一个)
跨导, gfs (s)
tj = 25 c
175 c
vds > id x rds(在)
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0 5 10 15 20 25 30 35
流 电流, id (一个)
流-源 在 阻抗, rds(在) (ohms)
vgs = 10v
tj = 25 c
3.2 v
5 v
3.4 v
3 v
2.8v
2.6 v
2.4 v
normalised 在-状态 阻抗
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
接合面 温度, tj (c)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
门-源 电压, vgs (v)
流 电流, id (一个)
vds > id x rds(在)
tj = 25 c
175 c
门槛 电压, vgs(至) (v)
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
接合面 温度, tj (c)
典型
最大
最小
8月 1999 4 rev 1.500
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