飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php65n06lt, phb65n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
反转 二极管 限制的 值 和 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 - - 63 一个
(身体 二极管)
I
SM
搏动 源 电流 (身体 - - 240 一个
二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 I
F
= 25 一个; v
GS
= 0 v - 0.95 1.2 V
I
F
= 50 一个; v
GS
= 0 v - 1.0 - V
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 50 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 48 - ns
Q
rr
反转 恢复 承担 V
GS
= -10 v; v
R
= 30 v - 0.1 -
µ
C
avalanche 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 50 一个; v
DD
≤
25 v; v
GS
= 5 v; - 125 mJ
unclamped inductive 转变-止 R
GS
= 50
Ω
; t
mb
= 25 ˚c
活力
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
5 v
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
january 1998 3 rev 1.300
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