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资料编号：547820
 
资料名称：PHP65N06LT
 
文件大小： 71.46K
   
说明：
 
介绍:
TrenchMOS transistor Logic level FET
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php65n06lt, phb65n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.15. normalised avalanche 活力 比率.
W
DSS
% = f(t
mb
); 情况: i
D
= 50 一个
图.16. avalanche 活力 测试 电路.
20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
L
t.u.t.
VDD
RGS
r 01
VDS
-id/100
+
-
调往
VGS
0
W
DSS
=
0.5
⋅
LI
D
2
⋅
BV
DSS
/(
BV
DSS
−
V
DD
)
january 1998 6 rev 1.300
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