飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 php65n06lt, phb65n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.5. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c
.
I
D
= f(v
DS
); 参数 v
GS
图.6. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c
.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
GS
图.7. 典型 转移 特性.
I
D
= f(v
GS
)
; 情况: v
DS
= 25 v; 参数 t
j
图.8. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c
.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 25 v
vds / v
id / 一个
1 美国
10 美国
100 美国
1 ms
10 ms
100 ms
tp =
1
10
100
1000
110
rds(在) = vds/id
直流
SOAX518
100
10
15
20
25
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100
rds(在)/mohm
id/一个
vgs/v =
3.6
4
4.2
4.4
4.6
5
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
t / s
zth j-mb / (k/w)
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
bukx55-lv
d =
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0123456
0
20
40
60
80
100
id/一个
vgs/v
tj/c = 175
25
0246810
0
20
40
60
80
100
10
5
vgs = 4.0 v
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
流 电流, id (一个)
流-源 电压, vds (v)
0 20406080100
0
10
20
30
40
50
60
跨导, gfs (s)
流 电流, id (一个)
january 1998 4 rev 1.300
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