飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 PHT6N06T
标准 水平的 场效应晶体管
一般 描述 快 涉及 数据
n-频道 增强 模式
标识 参数 最大值 单位
逻辑 水平的 地方-效应 电源
晶体管 在 一个 塑料 封套 V
DS
流-源 电压 55 V
合适的 为 表面 挂载. I
D
流 电流 (直流) t
sp
= 25 ˚c 5.5 一个
使用
’trench’
技术 这 流 电流 (直流) t
amb
= 25 ˚c 2.5 一个
设备 特性 非常 低 P
tot
总的 电源 消耗 8.3 W
在-状态 阻抗 和 有 T
j
接合面 温度 150 ˚C
integral 齐纳 二极管 给 R
ds(在)
流-源 在-状态 150 m
Ω
静电释放 保护. 它 是 将 为 阻抗 V
GS
= 10 v
使用 在 直流-直流 转换器 和
一般 目的 切换
产品.
固定 - sot223 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 门
2 流
3 源
4 流 (tab)
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 - - 55 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
-55v
±
V
GS
门-源 电压 - - 20 V
I
D
流 电流 (直流) T
sp
= 25 ˚c - 5.5 一个
T
amb
= 25 ˚c - 2.5 一个
I
D
流 电流 (直流) T
sp
= 100 ˚c - 3.8 一个
T
amb
= 100 ˚c - 1.75 一个
I
DM
流 电流 (脉冲波 顶峰 值) T
sp
= 25 ˚c - 22 一个
T
amb
= 25 ˚c - 10 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
sp
= 25 ˚c - 8.3 W
T
amb
= 25 ˚c - 1.8 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - - 55 150 ˚C
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 电容 人 身体 模型 - 2 kV
电压 (100 pf, 1.5 k
Ω
)
d
g
s
4
1
23
九月 1997 1 rev 1.000
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