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资料编号:551552
 
资料名称:PM45502C
 
文件大小: 50.49K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Power MOS FET Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PM45502C
4
600
400
200
0 50 100 150
情况 温度 t
C
(°c)
频道 消耗 pch (w)
电源 vs. 温度 减额
100
10
1.0
0.1
10 100 1,000
流 至 源 电压 v
DS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
最大 safe 运作 范围
30
3
0.3
1 3 30 300
10
µ
s
100
µ
s
1 ms
直流 运作 (t
C
= 25°c)
pw = 10 ms (1 shot)
运作 在 这个 area
是 限制 用 r
ds (在)
ta = 25°c
PM45502C
PM50502C
100
20 50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
典型 输出 特性
80
20
10 30 40
脉冲波 测试
0
40
60
5.5 v
5.0 v
V
GS
= 4.0 v
7.0 v
10 v
4.5 v
流 电流 i
D
(一个)
6.0 v
100
410
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
典型 转移 特性
80
20
268
–25°C
0
40
60
V
DS
= 20 v
脉冲波 测试
75°C
Ta
= 25°c
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