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资料编号:551552
 
资料名称:PM45502C
 
文件大小: 50.49K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Power MOS FET Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PM45502C
5
10
820
门 至 源 电压 v
GS
(v)
流 至 源 饱和 电压 v
ds (在)
(v)
8
2
412160
4
6
流 至 源 饱和 voltage
vs. 门 至 源 电压
50 一个
I
D
= 25 一个
脉冲波 测试
75 一个
0.5
10 200
流 电流 i
D
(一个)
静态的 流 至 源 在 状态 resistance
R
ds (在)
(
)
0.2
0.01
5 20 1002
0.05
0.1
静态的 流 至 源 在 state
阻抗 vs. 流 电流
0.02
0.005
50
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
15 v
0.20
40 160
情况 温度 t
C
(°c)
静态的 流 至 源 在 状态 resistance
R
ds (在)
(
)
0.16
0.04
0 80 120
0
0.08
0.12
静态的 流 至 源 在 state
阻抗 vs. 温度
I
D
= 25 一个
V
GS
= 10 v
脉冲波 测试
50 一个
–40
75 一个
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