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资料编号:551552
资料名称:
PM45502C
文件大小: 50.49K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Power MOS FET Module
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
PM45502C
6
50
22050
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
yfs
(s)
20
2
1.0
10
0.5
5
10
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
ta = 25°c
V
DS
= 10 v
脉冲波 测试
0.5
1.0
5
–25°C
75°C
1,000
250
反转 流 电流 i
DR
(一个)
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
500
50
1.0
5
20
10
100
200
身体 至 流 二极管 reverse
恢复 时间
di/dt = 100 一个/
µ
s, v
GS
= 0
ta = 25°c
脉冲波 测试
0.5
20
10
50
20
50
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电容 c (nf)
10
10
30
40
0.05
1
典型 电容 vs.
流 至 源 电压
0
0.1
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0
f = 1 mhz
500
200
500
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v
DS
(v)
动态 输入 特性
400
100
100
300
4000
200
300
V
DS
100 v
20
16
4
0
8
12
V
DD
= 100 v
250 v
400 v
I
D
= 50 一个
250 v
V
DD
= 400 v
V
GS
门 至 源 电压 v
GS
(v)
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