PMBFJ310_集成电路资料查询网

1996 Sep 11 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 ﬁeld-效应 晶体管
pmbfj308; pmbfj309;
PMBFJ310
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的; 便条 1 500 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)gss
门-源 损坏 电压 I
G
=
−
1
µ
一个; v
DS
=0
−
25
−−
V
V
GSoff
门-源 截-止 电压 I
D
=1
µ
一个; v
DS
=10V V
PMBFJ308
−
1
−−
6.5 V
PMBFJ309
−
1
−−
4V
PMBFJ310
−
2
−−
6.5 V
V
GSS
门-源 向前 电压 I
G
= 1 毫安; v
DS
=0
−−
1V
I
DSS
流 电流 V
DS
=10v; v
GS
=0
PMBFJ308 12
−
60 毫安
PMBFJ309 12
−
30 毫安
PMBFJ310 24
−
60 毫安
I
GSS
门 泄漏 电流 V
GS
=
−
15 v; v
DS
=0
−−−
1nA
R
DSon
流-源 在-状态
阻抗
V
GS
= 0; v
DS
= 100 mV
−
50
−Ω

y
fs

向前 转移 admittance I
D
= 10 毫安; v
DS
=10V 10
−−
mS

y
os

一般 源 输出
admittance
I
D
= 10 毫安; v
DS
=10V
−−
250
µ
S

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1996 Sep 11 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道硅 ﬁeld-效应晶体管 pmbfj308; pmbfj309; PMBFJ310 热的特性便条 1. 设备挂载在一个 fr4 打印-电路板. 静态的特性 T j =25 ° c; 除非否则 speciﬁed. 标识参数值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的; 便条 1 500 k/w 标识参数情况最小值典型值最大值单位 V (br)gss 门-源损坏电压 I G = − 1 µ 一个; v DS =0 − 25 −− V V GSoff 门-源截-止电压 I D =1 µ 一个; v DS =10V V PMBFJ308 − 1 −− 6.5 V PMBFJ309 − 1 −− 4V PMBFJ310 − 2 −− 6.5 V V GSS 门-源向前电压 I G = 1 毫安; v DS =0 −− 1V I DSS 流电流 V DS =10v; v GS =0 PMBFJ308 12 − 60 毫安 PMBFJ309 12 − 30 毫安 PMBFJ310 24 − 60 毫安 I GSS 门泄漏电流 V GS = − 15 v; v DS =0 −−− 1nA R DSon 流-源在-状态阻抗 V GS = 0; v DS = 100 mV − 50 −Ω  y fs  向前转移 admittance I D = 10 毫安; v DS =10V 10 −− mS  y os  一般源输出 admittance I D = 10 毫安; v DS =10V −− 250 µ S

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