1996 Sep 11 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 field-效应 晶体管
pmbfj308; pmbfj309;
PMBFJ310
动态 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
C
是
输入 电容 V
DS
=10v; v
GS
=
−
10 v; f = 1 MHz 3 5 pF
V
DS
=10v; v
GS
= 0; t
amb
=25
°
C6
−
pF
C
rs
反转 转移 电容 V
DS
= 0; v
GS
=
−
10 v; f = 1 MHz 1.3 2.5 pF
g
是
一般 源 输入
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 100 MHz 200
−µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 450 MHz 3
−
mS
g
fs
一般 源 转移
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 100 MHz 13
−
mS
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 450 MHz 12
−
mS
g
rs
一般 源 反转
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 100 MHz
−
30
−µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 450 MHz
−
450
−µ
S
g
os
一般 源 输出
conductance
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 100 MHz 150
−µ
S
V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 450 MHz 400
−µ
S
V
n
相等的 输入 噪音 电压 V
DS
=10v; i
D
= 10 毫安; f = 100 Hz 6
−
nv/
√
Hz
图.3 流 电流 作 一个 函数 的 门-源
截-止 电压; 典型 值.
V
DS
= 10 v; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
1
−
2
−
4
50
0
MCD220
−
3
40
30
20
10
I
DSS
(毫安)
V
GSoff
(v)
图.4 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 门-源 截-止 电压; 典型
值.
V
DS
= 10 v; i
D
= 10 毫安; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
2
−
4
−
8
MCD219
−
6
20
0
16
12
8
y
fs
(ms)
4
V
GSoff
(v)
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