PMBFJ310_集成电路资料查询网

1996 Sep 11 6
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 ﬁeld-效应 晶体管
pmbfj308; pmbfj309;
PMBFJ310
图.5 一般-源 输出 conductance 作 一个
函数 的 门-源 截-止 电压;
典型 值.
V
DS
= 10 v; i
D
= 10 毫安; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
150
100
50
0
−
1
−
2
−
4
MCD221
−
3
g
os
(
µ
s)
V
GSoff
(v)
图.6 流-源 在-状态 阻抗 作 一个
函数 的 门-源 截-止 电压;
典型 值.
V
DS
= 100 mv; v
GS
= 0; t
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
−
1
−
2
−
4
80
60
20
0
40
MCD222
−
3
R
DSon
(
Ω
)
V
GSoff
(v)
图.7  典型 输出 特性; pmbfj308.
handbook, halfpage
0 4 8 12 16
16
12
4
0
8
MCD216
V
DS
(v)
I
D

(毫安)
V
GS
= 0 v
−
0.25 v
−
0.5 v
−
0.75 v
−
1 v
T
j
=25
°
c.
图.8  典型 转移 特性; pmbfj308.
handbook, halfpage
−
2
−
1.5
−
1
−
0.5 0
16
12
4
0
8
MCD213
V
GS
(v)
I
D

(毫安)
V
DS
= 10 v; t
j
=25
°
c.

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1996 Sep 11 6 飞利浦半导体产品规格 n-频道硅 ﬁeld-效应晶体管 pmbfj308; pmbfj309; PMBFJ310 图.5 一般-源输出 conductance 作一个函数的门-源截-止电压; 典型值. V DS = 10 v; i D = 10 毫安; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 150 100 50 0 − 1 − 2 − 4 MCD221 − 3 g os ( µ s) V GSoff (v) 图.6 流-源在-状态阻抗作一个函数的门-源截-止电压; 典型值. V DS = 100 mv; v GS = 0; t j =25 ° c. handbook, halfpage 0 − 1 − 2 − 4 80 60 20 0 40 MCD222 − 3 R DSon ( Ω ) V GSoff (v) 图.7 典型输出特性; pmbfj308. handbook, halfpage 0 4 8 12 16 16 12 4 0 8 MCD216 V DS (v) I D  (毫安) V GS = 0 v − 0.25 v − 0.5 v − 0.75 v − 1 v T j =25 ° c. 图.8 典型转移特性; pmbfj308. handbook, halfpage − 2 − 1.5 − 1 − 0.5 0 16 12 4 0 8 MCD213 V GS (v) I D  (毫安) V DS = 10 v; t j =25 ° c.

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