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资料编号:552005
 
资料名称:PMBF170
 
文件大小: 56.11K
   
说明
 
介绍:
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
 
 


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april 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
PMBF170
描述
n-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个 sot23
封套. 设计 为 使用 作 一个
表面 挂载 设备 (smd) 在
薄的 和 厚-影片 电路 和
产品 在 接转, 高-速 和
线条 变压器 驱动器.
特性
直接 接口 至 c-mos, ttl,
高-速 切换
非 secondary 损坏
快 涉及 数据
固定 - sot23
标记 代号:
PMBF170 =
P
KX
流-源 电压 V
DS
最大值 60 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流) I
D
最大值 250 毫安
总的 电源 消耗 向上
至 t
amb
=25
°
CP
tot
最大值 300 mW
流-源 在-阻抗
I
D
= 200 毫安; v
GS
=10V
R
ds(在)
典型值
最大值
2.5
5.0
转移 admittance
I
D
= 200 毫安; v
DS
=10V
| y
fs
|
最小值
典型值
100
200
mS
mS
1 =
2 =
3 =
管脚 配置
图.1 simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MSB003
顶 视图
12
3
handbook, 2 columns
s
d
g
mbb076 - 1
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