PMBF170_集成电路资料查询网

april 1995 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
PMBF170
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed
流-源 损坏 电压
最小值
典型值
60
90
V
V
I
D
=10
µ
一个; v
GS
=0 V
(br) dss
流-源 泄漏 电流
V
DS
= 25 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 500 nA
V
DS
= 48 v; v
GS
=0 I
DSS
最大值 1
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 15 v; v
DS
=0 I
GSS
最大值 10 nA
门-源 截-止 电压
最小值
最大值
0.8
3.0
V
V
I
D
= 1 毫安; V
DS
=V
GS
V
gs(th)
流-源 在-阻抗
典型值
最大值
2.5
5.0
Ω
Ω
I
D
= 200 毫安; v
GS
=10V R
ds(在)
转移 admittance
最小值
典型值
100
200
mS
mS
I
D
= 200 毫安; v
DS
=10V

Y
fs

输入 电容
典型值
最大值
25
40
pF
pF
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 v; f = 1 MHz C
iss
输出 电容
典型值
最大值
22
30
pF
pF
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 v; f = 1 MHz C
oss
反馈 电容
典型值
最大值
6
10
pF
pF
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 v; f = 1 MHz C
rss
切换 时间
t
在
t
止
最大值
最大值
10
15
ns
ns
V
GS
= 0 至 10 v; i
D
= 200 毫安 ; v
DD
= 50 v

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april 1995 4 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 PMBF170 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed 流-源损坏电压最小值典型值 60 90 V V I D =10 µ 一个; v GS =0 V (br) dss 流-源泄漏电流 V DS = 25 v; v GS =0 I DSS 最大值 500 nA V DS = 48 v; v GS =0 I DSS 最大值 1 µ 一个门-源泄漏电流 V GS = 15 v; v DS =0 I GSS 最大值 10 nA 门-源截-止电压最小值最大值 0.8 3.0 V V I D = 1 毫安; V DS =V GS V gs(th) 流-源在-阻抗典型值最大值 2.5 5.0 Ω Ω I D = 200 毫安; v GS =10V R ds(在) 转移 admittance 最小值典型值 100 200 mS mS I D = 200 毫安; v DS =10V  Y fs  输入电容典型值最大值 25 40 pF pF V DS = 10 v; v GS = 0 v; f = 1 MHz C iss 输出电容典型值最大值 22 30 pF pF V DS = 10 v; v GS = 0 v; f = 1 MHz C oss 反馈电容典型值最大值 6 10 pF pF V DS = 10 v; v GS = 0 v; f = 1 MHz C rss 切换时间 t 在 t 止最大值最大值 10 15 ns ns V GS = 0 至 10 v; i D = 200 毫安 ; v DD = 50 v

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