PMBF170_集成电路资料查询网

april 1995 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
PMBF170
比率
热的 阻抗
注释
1. 挂载 在 陶瓷的 基质 测量 10 mm
×
8mm
×
0.7 mm.
2. 挂载 在 打印-电路 板.
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
流-源 电压 V
DS
最大值 60 V
门-源 电压 (打开 流)
±
V
GSO
最大值 20 V
流 电流 (直流) I
D
最大值 250 毫安
流 电流 (顶峰) I
DM
最大值 500 毫安
总的 电源 消耗 向上 至
T
amb
=25
°
c (便条 1) P
tot
最大值
最大值
300
250
mw (便条 1)
mw (便条 2)
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
th j-一个
= 430 k/w
从 接合面 至 包围的 (便条 2) R
th j-一个
= 500 k/w

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

april 1995 3 飞利浦半导体产品规格 n-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 PMBF170 比率热的阻抗注释 1. 挂载在陶瓷的基质测量 10 mm × 8mm × 0.7 mm. 2. 挂载在打印-电路板. 限制的值在一致和这绝对最大系统 (iec 134) 流-源电压 V DS 最大值 60 V 门-源电压 (打开流) ± V GSO 最大值 20 V 流电流 (直流) I D 最大值 250 毫安流电流 (顶峰) I DM 最大值 500 毫安总的电源消耗向上至 T amb =25 ° c (便条 1) P tot 最大值最大值 300 250 mw (便条 1) mw (便条 2) 存储温度范围 T stg − 65 至 + 150 ° C 接合面温度 T j 最大值 150 ° C 从接合面至包围的 (便条 1) R th j-一个 = 430 k/w 从接合面至包围的 (便条 2) R th j-一个 = 500 k/w

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com