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飞利浦 半导体
PMGD8000LN
双
µ
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 27 二月 2003 4 的 12
9397 750 10939
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
7. 热的 特性
7.1 瞬时 热的 阻抗
表格 4: 热的 特性
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
R
th(j-一个)
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 最小 footprint; 挂载 在 一个 pcb;
vertical 在 安静的 空气
- - 625 k/w
T
amb
=25
°
C
图 4. 瞬时 热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 作 一个 函数 的 脉冲波 持续时间.
03ah12
10
10
2
10
3
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1 10 10
2
t
p
(s)
Z
th(j-一个)
(k/w)
单独的 脉冲波
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02

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飞利浦半导体 PMGD8000LN 双 µ trenchmos™ 逻辑水平的场效应晶体管产品数据 rev. 01 — 27 二月 2003 4 的 12 9397 750 10939 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有权利保留. 7. 热的特性 7.1 瞬时热的阻抗表格 4: 热的特性标识参数情况最小值 Typ 最大值单位 R th(j-一个) 热的阻抗从接合面至包围的最小 footprint; 挂载在一个 pcb; vertical 在安静的空气 - - 625 k/w T amb =25 ° C 图 4. 瞬时热的阻抗从接合面至包围的作一个函数的脉冲波持续时间. 03ah12 10 10 2 10 3 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 1 10 10 2 t p (s) Z th(j-一个) (k/w) 单独的脉冲波 δ = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02

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