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飞利浦 半导体
PMGD8000LN
双
µ
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 27 二月 2003 8 的 12
9397 750 10939
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
GS
=0V I
D
= 100 毫安; v
DD
=10V
图 12. 源 (二极管 向前) 电流 作 一个 函数 的
源-流 (二极管 向前) 电压; 典型
值.
图 13. 门-源 电压 作 一个 函数 的 门
承担; 典型 值.
03ah17
0
0.05
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0.25
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= 100 毫安
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= 10 v
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= 25
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飞利浦半导体 PMGD8000LN 双 µ trenchmos™ 逻辑水平的场效应晶体管产品数据 rev. 01 — 27 二月 2003 8 的 12 9397 750 10939 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有权利保留. T j =25 ° C 和 150 ° c; v GS =0V I D = 100 毫安; v DD =10V 图 12. 源 (二极管向前) 电流作一个函数的源-流 (二极管向前) 电压; 典型值. 图 13. 门-源电压作一个函数的门承担; 典型值. 03ah17 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 V SD (v) I S (一个) T j = 25 ° C150 ° C V GS = 0 v 03ah19 0 1 2 3 4 5 0 100 200 300 400 Q G (pc) V GS (v) I D = 100 毫安 V DD = 10 v T j = 25 ° C

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