飞利浦 半导体
PMGD8000LN
双
µ
trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 01 — 27 二月 2003 7 的 12
9397 750 10939
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I
D
= 100
µ
一个; v
DS
=V
GS
T
j
=25
°
c; v
DS
=5V
图 9. 门-源 门槛 电压 作 一个 函数 的
接合面 温度.
图 10. sub-门槛 流 电流 作 一个 函数 的
门-源 电压.
V
GS
= 0 v; f = 1 MHz
图 11. 输入, 输出 和 反转 转移 capacitances 作 一个 函数 的 流-源 电压; 典型 值.
03ah20
0
0.5
1
1.5
2
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
V
gs(th)
(v)
最小值
典型值
最大值
03ah77
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
0 0.5 1 1.5 2
V
GS
(v)
I
D
(一个)
典型值 maxmin
03ah18
1
10
10
2
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
C
(pf)
C
iss
C
oss
C
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