slus487d −12月 2001 − 修订 十一月 2003
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3
电的 特性
T
一个
= 25
°
c, c
REG
= 1
µ
f, V
CC
= 14 v (除非 否则 指出)
供应 电流
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
(cc1)
供应 电流 1
非 加载 在 vreg, tout,
ledout,xalert, sclk,
T
一个
= 25
°
C 140 190
µ
一个
I
(cc1)
供应 电流 1
ledout,xalert, sclk,
sdata. clkin 不 使用
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C 220
µ
一个
I
(cc2)
供应 电流 2
VBAT
≤
V
sd,
vpack = 0
dsg, chg 和 pchg = 止
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C 1
µ
一个
3.3 v 调整器
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(reg)
调整器 输出 电压 I
O
≤
25 毫安, T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C 3.135 3.3 3.465 V
∆
V
(regtemp)
调整器 输出 改变 和 V
(sd)
= 6.5 v
≤
V
CC
≤
25 v,
T
一个
= −25
°
c 至 25
°
C
±
0.2%
±
1.74%
∆
V
(regtemp)
调整器 输出 改变 和
温度
V
(sd)
= 6.5 v
≤
V
CC
≤
25 v,
I
O
= 25 毫安
T
一个
= 25
°
c 至 85
°
C
±
0.2%
±
1.74%
∆
V
(regline)
线条 规章制度 V
(sd)
=6.5 v
≤
V
CC
≤
25v, i
O
= 25 毫安 6 20 mV
∆
V
(regload)
加载 规章制度 0.1 毫安
≤
I
O
≤
25 毫安, v
CC
= 14 v 2 20 mV
关闭 v
I
监控
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(sd)
vreg 关闭 门槛 范围
(1)
量过的 在 vbat 6.475 10.975 V
∆
V
(sd)
关闭 门槛 步伐 设置 用 sdv 寄存器 b0 −b3 300 mV
V
hys(sd)
Hysteresis 35 50 65 mV
精度 的 这 关闭 门槛
±
5%
(1) V
(sd)
= v
(reg)
brownout 门槛 电压 作 决定 用 b0 −b3 在 这 sdv 寄存器.
brownout v
在
监控
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
BO
brownout 门槛 范围
(1)
量过的 在 vbat 7.975 12.475 V
∆
V
BO
brownout 门槛 步伐 设置 用 sdv 寄存器 b4 − b7 300
mV
V
hys(bo)
Hysteresis 35 50 65
mV
brownout 门槛 精度
±
5%
(1) V
BO
= v
(reg)
brownout 门槛 电压 作 决定 用 b4 −b7 在 这 sdv 寄存器.
cell 电压 监控
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(cell_输出)
vcell 输出 (看 便条 4)
V
(cell_在)
= 0 v 0.975
VV
(cell_输出)
vcell 输出 (看 便条 4)
V
(cell_在)
= 4.5 v 0.3
V
V
(cell_在)
差别的 输入 电压 范围
vc1 至 vc2, vc2 至 vc3,
vc3 至 vc4, vc4 至 vc5
0 4.5 V
K vcell 规模 因素 [0.975 −v
(cell_输出)
]/v
(cell_在)
0.144 0.150 0.156
R
(bal)
cell balance 内部的 阻抗 RDS
(在)
为 内部的 场效应晶体管 转变 在 v
(ds)
= 2 v 500
Ω
(1) 这 v
(cell)
输出 是 inversely 均衡的 至 这 v
(cell_输出)
= −k
×
V
(cell_在)
+ 0.975.
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