slus487d − 12月 2001 − 修订 十一月 2003
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4
电的 特性 持续
T
一个
= 25
°
c, c
REG
= 1
µ
f, V
CC
= 14 v (除非 否则 指出)
overcurrent (oc) 和 短的 电路 (sc) 发现
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(ocd)
oc 发现 门槛 范围,
(1)
承担 (overcurrent) 50 205
mVV
(ocd)
oc 发现 门槛 范围,
典型
(1)
释放 (超载) −50 −205
mV
∆
V
(ocd)
oc 发现 门槛 程序 步伐
承担 (overcurrent) 5
mV
∆
V
(ocd)
oc 发现 门槛 程序 步伐
释放 (超载) −5
mV
V
hys(ocd)
oc 发现 门槛 hysteresis 承担 和 释放 (overcurrent 和 超载) 7 10 13 mV
V
(sc)
sc 发现 门槛 范围,
(2)
承担 100 475 mV
V
(sc)
sc 发现 门槛 范围,
典型
(2)
释放 −100 −475
∆
V
(sc)
sc 发现 门槛 程序 步伐
承担 25
mV
∆
V
(sc)
sc 发现 门槛 程序 步伐
释放 −25
mV
V
hys(sc)
sc 发现 门槛 hysteresis 承担 和 释放 40 50 60 mV
(1)
V
(ocd)
= 50 mv (最小值) 37.5 50 62.5
V
(ocd_acr)
oc 发现 门槛 精度
(1)
承担 和 释放
V
(ocd)
= 100 mv 85 100 115
mVV
(ocd_acr)
oc 发现 门槛 精度
(1)
承担 和 释放
V
(ocd)
= 205 mv (最大值) 174 205 236
mV
(2)
V
(sc)
= 100 mv (最小值) 75 100 125
V
(sc_acr)
sc 发现 门槛 精度
(2)
承担 和 释放
V
(sc)
= 200 mv 170 200 230
mVV
(sc_acr)
sc 发现 门槛 精度
(2)
承担 和 释放
V
(sc)
= 475 mv (最大值) 403 475 547
mV
(1) 看 ocvd 和 ocvc 寄存器 为 设置 发现 门槛.
(2) 看 scv 寄存器 为 设置 发现 门槛.
场效应晶体管 驱动 电路
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vbat = 16 v DSG 1 5 7
V
(fetol)
输出 电压
vpack = 16 v CHG 1 5 7
VV
(fetol)
输出 电压
vpack = 16 v PCHG 8.5 10.5 11.5
V
V
(fetclamp)
输出 clamp 电压 vpack = 4.5 v PCHG 3.3 3.5 3.7 V
DSG 10 100
t
r
上升 时间 C
L
= 4700 pf, 10% 至 90%
CHG 10 100
µ
st
r
上升 时间 C
L
= 4700 pf, 10% 至 90%
PCHG 170 500
µ
s
DSG 15 100
t
f
下降 时间 C
L
= 4700 pf, 90% 至 10% CHG 15 100
µ
st
f
下降 时间 C
L
= 4700 pf, 90% 至 10%
PCHG 170 500
µ
s
thermistor 驱动和 led 驱动
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
(t)
tout 通过-元素 序列 阻抗
I
O
= −1 毫安 在 tout 管脚,
R
(t)
= (v
REG
– v
TOUT
)/1 毫安,
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C
50 100
Ω
V
(ledout)
ledout 输出 电压
I
O
= −25 毫安 在 ledout 管脚,
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C
2.9 3.15 3.46 V
逻辑
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
(pup)
内部的 pullup 阻抗
xalert, clkin 60 100 140
k
Ω
R
(pup)
内部的 pullup 阻抗
sdata, sclk
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C
6 10 14
k
Ω
V
o(l)
逻辑 低-水平的 输出 电压
xalert, i
输出
= 200
µ
一个
T
一个
= − 25
°
c 至 85
°
C
0.2
VV
o(l)
逻辑 低-水平的 输出 电压
sdata, i
输出
= 50
µ
一个 0.4
V
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