RN4985_集成电路资料查询网

RN4985
2001-06-07
1
toshiba 晶体管
硅 npn 外延的 类型 (pct 处理) 硅 pnp 外延的 类型 (pct 处理)
RN4985
切换, 反相器 电路, 接口 电路
和 驱动器 电路 产品

includeing 二 设备 在 us6 (过激 超级的 迷你 类型 和 6 leads)

和 建造-在 偏差 电阻器

使简化 电路 设计

减少 一个 quantity 的 部分 和 制造 处理
相等的 电路 和 偏差 resister 值
r1: 2.2k
Ω
r2: 47k
Ω
 (q1, q2 一般)
q1 最大 比率
(ta = 25



c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 v
发射级-根基 电压 V
EBO
5

V
集电级 电流 I
C
100 毫安
q2 最大 比率
(ta = 25



c)
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
−
50 v
集电级-发射级 电压 V
CEO
−
50 v
发射级-根基 电压 V
EBO
−
5

V
集电级 电流 I
C
−
100 毫安
电子元件工业联合会
―
EIAJ
―
TOSHIBA 2-2j1a
重量: 6.8mg
单位: mm

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RN4985 2001-06-07 1 toshiba 晶体管硅 npn 外延的类型 (pct 处理) 硅 pnp 外延的类型 (pct 处理) RN4985 切换, 反相器电路, 接口电路和驱动器电路产品  includeing 二设备在 us6 (过激超级的迷你类型和 6 leads)  和建造-在偏差电阻器  使简化电路设计  减少一个 quantity 的部分和制造处理相等的电路和偏差 resister 值 r1: 2.2k Ω r2: 47k Ω (q1, q2 一般) q1 最大比率 (ta = 25    c) 典型的标识比率单位集电级-根基电压 V CBO 50 v 集电级-发射级电压 V CEO 50 v 发射级-根基电压 V EBO 5  V 集电级电流 I C 100 毫安 q2 最大比率 (ta = 25    c) 典型的标识比率单位集电级-根基电压 V CBO − 50 v 集电级-发射级电压 V CEO − 50 v 发射级-根基电压 V EBO − 5  V 集电级电流 I C − 100 毫安电子元件工业联合会 ― EIAJ ― TOSHIBA 2-2j1a 重量: 6.8mg 单位: mm

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