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资料编号：582441
 
资料名称：RN4985
 
文件大小： 152.77K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN4985
2001-06-07
2
q1, q2 一般 最大 比率
(ta = 25

c)
典型的 标识 比率 单位
集电级 电源 消耗 P
C
*
200 mw
接合面 温度 T
j
150
C
存储 温度 范围 T
stg
−
55~150
C
*
总的 比率
标记
相等的 电路
(顶 视图)
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