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资料编号:582441
 
资料名称:RN4985
 
文件大小: 152.77K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
 
 


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RN4985
2001-06-07
3
q1 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
= 50v, i
E
= 0
100
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
= 50v, i
B
= 0
500
nA
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
= 5v, i
C
= 0 0.078
0.145 毫安
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
= 5v, i
C
= 10ma 80
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
= 5ma, i
B
= 0.25ma
0.1 0.3 V
输入 电压 (在) V
i (在)
V
CE
= 0.2v, i
C
= 5ma 0.6
1.1 V
输入 电压 (止) V
i (止)
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma 0.5
0.8 V
转变 频率
f
T
V
CE
= 10v, i
C
= 5ma
250
MHz
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1 mhz
3 6 pf
q2 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
V
CB
=
50v, i
E
= 0
100
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
=
50v, i
B
= 0
500
nA
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=
5v, i
C
= 0
0.078
0.145 毫安
直流 电流 增益
h
FE
V
CE
=
5v, i
C
=
10ma 80
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
I
C
=
5ma, i
B
=
0.25ma
0.1
0.3 V
输入 电压 (在) V
i (在)
V
CE
=
0.2v, i
C
=
5mA
0.6
1.1 V
输入 电压 (止) V
i (止)
V
CE
=
5v, i
C
=
0.1ma
0.5
0.8 V
转变 频率
f
T
V
CE
=
10v, i
C
=
5mA
200
MHz
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=
10v, i
E
= 0
3 6 pf
q1, q2 一般 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
Circui
t
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 电阻 R1
1.54 2.2 2.86 k
电阻 比率 r1/r2
0.0421 0.0468 0.0515
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