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资料编号:582441
资料名称:
RN4985
文件大小: 152.77K
说明
:
介绍
:
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
RN4985
2001-06-07
3
q1 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
I
CBO
―
V
CB
= 50v, i
E
= 0
―
―
100
集电级 截-止 电流
I
CEO
―
V
CE
= 50v, i
B
= 0
―
―
500
nA
发射级 截-止 电流
I
EBO
―
V
EB
= 5v, i
C
= 0
0.078
―
0.145
毫安
直流 电流 增益
h
FE
―
V
CE
= 5v, i
C
= 10ma
80
―
―
―
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
―
I
C
= 5ma, i
B
= 0.25ma
―
0.1 0.3
V
输入 电压 (在)
V
i (在)
―
V
CE
= 0.2v, i
C
= 5ma
0.6
―
1.1
V
输入 电压 (止)
V
i (止)
―
V
CE
= 5v, i
C
= 0.1ma
0.5
―
0.8
V
转变 频率
f
T
―
V
CE
= 10v, i
C
= 5ma
―
250
―
MHz
集电级 输出 电容
C
ob
―
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1 mhz
―
3
6 pf
q2 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
电路
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
I
CBO
―
V
CB
=
−
50v, i
E
= 0
―
―
−
100
集电级 截-止 电流
I
CEO
―
V
CE
=
−
50v, i
B
= 0
―
―
−
500
nA
发射级 截-止 电流
I
EBO
―
V
EB
=
−
5v, i
C
= 0
−
0.078
―
−
0.145
毫安
直流 电流 增益
h
FE
―
V
CE
=
−
5v, i
C
=
−
10ma 80
―
―
―
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
―
I
C
=
−
5ma, i
B
=
−
0.25ma
―
−
0.1
−
0.3
V
输入 电压 (在)
V
i (在)
―
V
CE
=
−
0.2v, i
C
=
−
5mA
−
0.6
―
−
1.1
V
输入 电压 (止)
V
i (止)
―
V
CE
=
−
5v, i
C
=
−
0.1ma
−
0.5
―
−
0.8
V
转变 频率
f
T
―
V
CE
=
−
10v, i
C
=
−
5mA
―
200
―
MHz
集电级 输出 电容
C
ob
―
V
CB
=
−
10v, i
E
= 0
―
3
6 pf
q1, q2 一般 电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识
测试
Circui
t
测试 情况
最小值
典型值
最大值
单位
输入 电阻
R1
―
―
1.54 2.2 2.86
k
Ω
电阻 比率
r1/r2
―
―
0.0421 0.0468 0.0515
―
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