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资料编号:607552
 
资料名称:SI1551DL
 
文件大小: 62.44K
   
说明
 
介绍:
Complementary 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si1551DL
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71255
s-21374
rev. b, 12-8月-02
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 n-ch 0.6
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
一个 p-ch -0.6
V
n-ch
100
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12 v
p-ch
100
nA
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v n-ch 1
V
DS
= -16 v, v
GS
= 0 v p-ch -1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C n-ch 5
一个
V
DS
= -16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C p-ch -5
V
DS
5 v, v
GS
= 4.5 v n-ch 0.6
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-5 v, v
GS
= -4.5 v p-ch -1.0
一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.29 一个 n-ch 1.55 1.9
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -0.41 一个 p-ch 0.850 0.995
V
GS
= 2.7 v, i
D
= 0.1 一个 n-ch 2.8 3.7
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= -2.7 v, i
D
= -0.25 一个 p-ch 1.23 1.600
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 0.1 一个 n-ch 3.0 4.2
V
GS
= -2.5 v, i
D
= -0.25 一个 p-ch 1.4 1.800
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.29 一个 n-ch 0.3
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= -10 v, i
D
= -0.41 一个 p-ch 0.8
S
I
S
= 0.23 一个, v
GS
= 0 v n-ch 0.8 1.2
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= -0.23 一个, v
GS
= 0 v p-ch -0.8 -1.2
V
动态
b
n-ch 0.72 1.5
总的 门 承担 Q
g
n-频道
p-ch 0.52 1.8
n-频道
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.29 一个
n-ch 0.22
门-源 承担 Q
gs
p-频道
p-ch 0.11
nC
V
DS
= -10 v,
V
GS
= -4.5 v, i
D
= -0.41 一个
n-ch 0.13
门-流 承担 Q
gd
p-ch 0.14
n-ch 23 40
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
p-ch 7.5 15
n-频道
n-ch 30 60
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 20
I
D
0.5 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
p-ch 20 40
p-频道
n-ch 10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
p-频道
V
DD
= -10 v, r
L
= 20
I
-0.5 一个, v
= -4.5 v, r = 6
p-ch 8.5 17
ns
I
D
-0.5 一个, v
GEN
= -4.5 v, r
G
= 6
n-ch 15 30
下降 时间 t
f
p-ch 12 24
源-流
I
F
= 0.23 一个, di/dt = 100 一个/
s n-ch 20 40
源-流
反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= -0.23 一个, di/dt = 100 一个/
s p-ch 25 40
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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