首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:607552
 
资料名称:SI1551DL
 
文件大小: 62.44K
   
说明
 
介绍:
Complementary 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI1551DL的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号SI1551DL的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI1551DL的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SI1551DL的Datasheet PDF文件第5页
5

6
浏览型号SI1551DL的Datasheet PDF文件第7页
7
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1551DL
vishay siliconix
www.vishay.com
6
文档 号码: 71255
s-21374
rev. b, 12-8月-02
典型 特性 (25
c 除非 指出) P−CHANNEL
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
V
DS
= 10 v
I
D
= 0.41 一个
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 0.41 一个
门 承担
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
- 接合面 温度 (
c)
(normalized)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
012345
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 0.41 一个
1
0.1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
0
3
5
1
2
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
4
1 100 6001010
-1
10
-2
10
-3
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
- 温度 (
c)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com