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资料编号:607552
 
资料名称:SI1551DL
 
文件大小: 62.44K
   
说明
 
介绍:
Complementary 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1551DL
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 71255
s-21374
rev. b, 12-8月-02
典型 特性 (25
c 除非 指出) N−CHANNEL
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
1
2
3
4
5
6
012345
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
I
D
= 0.29 一个
1
0.1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
0
3
5
1
2
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
4
1 100 6001010
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
-2
1 10 60010
-1
10
-4
100
-0.3
-0.2
-0.1
-0.0
0.1
0.2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
- 温度 (
c)
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
=400
c/w
3. t
JM
- t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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