首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:607595
 
资料名称:SI1022R
 
文件大小: 39.93K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号SI1022R的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号SI1022R的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号SI1022R的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si1022R
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档 号码: 71331
s-03049
rev. 一个, 05-二月-01




限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 10
一个
60
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 0.25 毫安 1 2.5
V
V
DS
= 0 v, v
GS
=
10 v
150
门-身体 泄漏 I
GSS
T
J
= 85
C
500
V
DS
= 0 v, v
GS
=
5 v
20 nA
V
DS
= 50 v, v
GS
= 0 v 10
零 门 电压 流 电流 I
DSS
T
J
= 85
C
100
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
一个
V
DS
= 10 v, v
GS
= 4.5 v 500
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 7.5 v, v
GS
= 10 v 800
毫安
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 200 毫安 3.0
T
J
= 125
C
5.0
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 500 毫安 1.25
T
J
= 125
C
2.25
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 200 毫安 100 mS
二极管 向前 电压
一个
V
SD
V
GS
= 0 v, i
S
= 200 毫安 1.30 V
动态
b
输入 电容 C
iss
30 pF
输出 电容 C
oss
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
6
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz
2.5
nC
门 承担 Q
g
V
DS
=10 v, i
D
= 250 毫安
V
GS
= 4.5 v
0.6
nC
切换
b,
c
转变-在 时间 t
(在)
V
DD
= 30 v, r
L
= 150
25
转变-止 时间 t
(止)
I
D
= 200 毫安, v
GEN
= 10 v
R
G
= 10
35
ns
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%. TNJO60
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com