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资料编号:607595
 
资料名称:SI1022R
 
文件大小: 39.93K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si1022R
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71331
s-03049
rev. 一个, 05-二月-01
www.vishay.com
3


0
300
600
900
1200
0123456
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
012345
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 10 thru 7 v
3 v
5 v
4 v
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (毫安)I
D
T
J
=
55
C
125
C
25
C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
50
25 0 25 50 75 100 125 150
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
接合面 温度 (
c)
V
GS
= 10 v @ 500 毫安
V
GS
= 4.5 v
@ 200 毫安
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
V
DS
= 10 v
I
D
= 250 毫安
门 承担
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
V
GS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0 200 400 600 800 1000
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
流 电流 (毫安)
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
10
20
30
40
50
0 5 10 15 20 25
电容
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
6 v
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