Si1022R
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4
文档 号码: 71331
s-03049
—
rev. 一个, 05-二月-01
0
1
2
3
4
5
0246810
在-阻抗 vs. 门-源 电压
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
I
D
= 500 毫安
I
D
= 200 毫安
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
1.2 1.5
1
100
1000
0.00 0.3 0.6 0.9
T
J
= 25
C
T
J
= 125
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
–
源-至-流 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
10
T
J
=
–
55
C
V
GS
= 0 v
0.01
0
1
2.5
3
100 6000.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
门槛 电压 variance 在 温度
variance (v)V
gs(th)
–
0.8
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
T
J
–
接合面 温度 (
c)
1.5
2
0.5
1
10
T
一个
= 25
C
10
–
3
10
–
2
1 10 60010
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 500
c/w
3. t
JM
–
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM