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资料编号:607632
 
资料名称:SI1032R-T1
 
文件大小: 53.62K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
si1032r/x
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71172
s-40574—rev. c, 29-三月-04
规格 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.40 0.7 1.2 V
身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
2.8 v
0.5
1.0
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
4.5
V
1.0
3.0
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 10
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 4.5 v 250 毫安
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 200 毫安 5
源 在 状态 阻抗
一个
r
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 175 m 一个 7
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
D
= 150 m 一个 9
V
DS
= 1.5
v,I
D
= 40 毫安
10
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 10
v,I
D
= 200 毫安
0.5 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 150 毫安, v
GS
= 0 v 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
750
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 10 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 150 毫安 75 pC
门-流 承担 Q
gd
225
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
50
上升 时间 t
r
V
DD
= 10 v, r
L
= 47
25
ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 10 v,R
L
= 47
I
D
200 毫安, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 10
50
ns
下降 时间 t
f
25
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (t
一个
= 25
c 除非 指出)
0
100
200
300
400
500
600
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0123456
输出特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 5 thru 1.8 v
V
GS
流 电流 (毫安)I
D
T
J
=
55
C
125
C
25
C
1 v
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