SI1032R-T1_集成电路资料查询网

si1032r/x
vishay siliconix
文档 号码:  71172
s-40574—rev. c, 29-三月-04
www.vishay.com
3
典型 特性 (t
一个
= 25

c 除非 指出)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
0
20
40
60
80
100
048121620
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125
0
1
2
3
4
5
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
30
40
50
0 50 100 150 200 250
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
I
D
−
流 电流 (毫安)
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 200 毫安
V
GS
= 1.8 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
C
−
电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (

c)
0
10
20
30
40
50
0123456
I
D
=  175 毫安
1000
1
源-流二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
−
在-阻抗 (r
ds(在)

)
V
SD
−
源-至-流 电压 (v) V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
源 电流 (毫安)I
S
V
GS
= 4.5 v
I
D
=  200 毫安
V
GS
= 2.5 v
V
GS
= 1.8 v
I
D
= 175 毫安
T
J
= 125

C
T
J
= 25

C
T
J
= 50

C
10
100
V
DS
= 10 v
I
D
= 150 毫安
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)

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si1032r/x vishay siliconix 文档号码: 71172 s-40574—rev. c, 29-三月-04 www.vishay.com 3 典型特性 (t 一个 = 25  c 除非指出) 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) 0 20 40 60 80 100 048121620 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 0 1 2 3 4 5 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0 10 20 30 40 50 0 50 100 150 200 250 V DS − 流-至-源电压 (v) C rss C oss C iss V GS = 0 v f = 1 mhz I D − 流电流 (毫安) V GS = 4.5 v I D = 200 毫安 V GS = 1.8 v 门承担在-阻抗 vs. 流电流 − 门-至-源电压 (v) Q g − 总的门承担 (nc) C − 电容 (pf) V GS 电容在-阻抗 vs. 接合面 temperature T J − 接合面温度 (  c) 0 10 20 30 40 50 0123456 I D = 175 毫安 1000 1 源-流二极管向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压 − 在-阻抗 (r ds(在)  ) V SD − 源-至-流电压 (v) V GS − 门-至-源电压 (v) − 源电流 (毫安)I S V GS = 4.5 v I D = 200 毫安 V GS = 2.5 v V GS = 1.8 v I D = 175 毫安 T J = 125  C T J = 25  C T J = 50  C 10 100 V DS = 10 v I D = 150 毫安 r ds(在) − 在-resiistance (normalized)

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