SI1032R-T1_集成电路资料查询网

si1032r/x
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码:  71172
s-40574—rev. c, 29-三月-04
典型 特性 (t
一个
= 25

c 除非 指出)
−
0.3
−
0.2
−
0.1
−
0.0
0.1
0.2
0.3
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125
I
D
= 0.25 毫安
门槛 电压 variance vs. temperature
variance (v)V
gs(th)
T
J
−
温度 (

c)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125
I
GSS
vs. temperature
T
J
−
温度 (

c)
I
GSS
−
(

一个)
0
1
2
3
4
5
6
7
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125
BV
GSS
vs. temperature
T
J
−
温度 (

c)
10
−
3
10
−
2
1 10 60010
−
1
10
−
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的 (sc-75a, si1032r 仅有的)
正方形的 波脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的瞬时
热的 阻抗
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 500

c/w
3. t
JM
−
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
BV
GSS
−
门-至-源 损坏 电压 (v)
V
GS
= 2.8 v

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si1032r/x vishay siliconix www.vishay.com 4 文档号码: 71172 s-40574—rev. c, 29-三月-04 典型特性 (t 一个 = 25  c 除非指出) − 0.3 − 0.2 − 0.1 − 0.0 0.1 0.2 0.3 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 I D = 0.25 毫安门槛电压 variance vs. temperature variance (v)V gs(th) T J − 温度 (  c) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 I GSS vs. temperature T J − 温度 (  c) I GSS − (  一个) 0 1 2 3 4 5 6 7 − 50 − 25 0 25 50 75 100 125 BV GSS vs. temperature T J − 温度 (  c) 10 − 3 10 − 2 1 10 60010 − 1 10 − 4 100 2 1 0.1 0.01 0.2 0.1 0.05 0.02 单独的脉冲波职责循环 = 0.5 normalized 热的瞬时阻抗, 接合面-至-包围的 (sc-75a, si1032r 仅有的) 正方形的波脉冲波持续时间 (秒) normalized 有效的瞬时热的阻抗 1. 职责循环, d = 2. 每单位根基 = r thJA = 500  c/w 3. t JM − T 一个 = p DM Z thJA (t) t 1 t 2 t 1 t 2 注释: 4. 表面挂载 P DM BV GSS − 门-至-源损坏电压 (v) V GS = 2.8 v

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