Si3585DV
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4
文档 号码: 71184
s-03512
—
rev. b, 04-apr-01
0.00
0.08
0.16
0.24
0.32
0.40
012345
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
= 2.4 一个
I
D
= 1 一个
1.2 1.5
0.1
1
10
0.00 0.3 0.6 0.9
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
–
源-至-流 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
2
1
0.1
0.01
10
–
3
10
–
2
1 10 60010
–
1
10
–
4
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
100
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 87
c/w
3. t
JM
–
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
0.01
0
1
6
8
2
4
10 300.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
0.4
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
–
温度 (
c)
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