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资料编号:607819
 
资料名称:SI3585DV
 
文件大小: 67.01K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3585DV
vishay siliconix
文档 号码: 71184
s-03512
rev. b, 04-apr-01
www.vishay.com
7

 
Normalized热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
2
1
0.1
0.01
10
3
10
2
1 10 60010
1
10
4
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
100
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 87
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
10
3
10
2
11010
1
10
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
Normalized热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-foot
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
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