Si3585DV
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6
文档 号码: 71184
s-03512
—
rev. b, 04-apr-01
0.0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
0.0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
= 10 v
I
D
= 2.4 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 2.4 一个
门 承担
–
门-至-源 电压 (v)
Q
g
–
总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
–
接合面 温度 (
c)
(normalized)
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.01
0
1
6
8
2
4
10 300.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
012345
V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
= 1.8 一个
I
D
= 1.2 一个
1.2 1.5
0.1
1
10
0.00 0.3 0.6 0.9
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
–
源-至-流 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
–
0.4
–
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
–
温度 (
c)