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资料编号:607819
 
资料名称:SI3585DV
 
文件大小: 67.01K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si3585DV
vishay siliconix
www.vishay.com
6
文档 号码: 71184
s-03512
rev. b, 04-apr-01

 
0.0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
0.0 0.6 1.2 1.8 2.4 3.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
50
25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
= 10 v
I
D
= 2.4 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 2.4 一个
门 承担
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
V
GS
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.01
0
1
6
8
2
4
10 300.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
012345
V
GS
门-至-源 电压 (v)
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
= 1.8 一个
I
D
= 1.2 一个
1.2 1.5
0.1
1
10
0.00 0.3 0.6 0.9
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压
V
SD
源-至-流 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
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