Si5853DC
Vishay Siliconix
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2-2
文档 号码: 71239
s-21251—rev. b, 05-8月-02
热的 阻抗 比率
参数 设备 标识 典型 最大 单位
t 5
场效应晶体管 50 60
J 德州仪器 t 一个 bi t
一个
t
≤
5sec
肖特基
R
77 95
接合面-至-包围的
一个
St d St t
场效应晶体管
R
thJA
90 110
_
c/w
稳步的 状态
肖特基 110 130
_
c/w
接合面 至 Foot 稳步的 状态
场效应晶体管
R
30 40
接合面-至-foot 稳步的 状态
肖特基
R
thJF
33 40
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” FR4 板.
场效应晶体管 规格 (t
J
=25
_
C 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,i
D
= --250
m
一个 --0.45 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
=0v, V
GS
=
8 V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=--16v,v
GS
=0V -- 1
m
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=--16v,v
GS
=0v,t
J
=85
_
C -- 5
m
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
≤
-- 5 V, V
GS
=--4.5v -- 1 0 一个
V
GS
=--4.5v,i
D
=--2.7a 0.095 0.110
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=--2.5v,i
D
=--2.2a
0.137 0.160
Ω
ds(在)
V
GS
=--1.8v,i
D
=--1a
0.205 0.240
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=--10v,i
D
=--2.7a 7 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=--0.9a,v
GS
=0V -- 0 . 8 -- 1 . 2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
4.4 6.5
门-源 承担 Q
gs
V
DS
=--10v, V
GS
=--4.5v,i
D
=--2.7a
1.4
nC
门-流 承担 Q
gd
DS
,
GS
,
D
0.65
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
16 25
上升 时间 t
r
V
DD
=--10V,r
L
=10
Ω
30 45
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= --10 v, R
L
= 10
Ω
I
D
≅
-- 1 一个 , V
GEN
=--4.5v,r
G
=6
Ω
30 45
ns
下降 时间 t
f
27 40
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= --0.9 一个, di/dt = 100 一个/
m
s 20 40
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
m
s, 职责 循环
≤
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
肖特基 规格 (t
J
=25
_
C 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 漏出 V
F
I
F
=0.5a 0.42 0.48
VForward Voltage Drop V
F
I
F
=0.5a,t
J
= 125
_
C 0.33 0.4
V
V
r
=20V 0.002 0.100
最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
=20v,t
J
=85
_
C 0.10 1
毫安g
rm
V
r
=20v,t
J
= 125
_
C 1.5 10
接合面 电容 C
T
V
r
=10V
31 pF
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